改VishaySiliconix推出通过J

采用密封TO-205AD封装的军用级器件具有低导通电阻和快速开关性能

宾夕法尼亚、MALVERN — 2011 年 10 月 1 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布， Vishay Siliconix推出新款n沟道功率MOSFET通过JAN认证的，分别是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV。对于军工、航天和航空应用，这些采用密封TO-205AD(TO- 9)封装的器件兼具低导通电阻和快一般旅客托运行李都是由民航部门从一架飞机直接装上另一架飞机速开关的性能。

Vishay Siliconix的工厂位于加州Santa Clara，已被DSCC重新认证，可采用MIL-PRF-19500标准对所生产的MOSFET进行筛选。在用于军工和重要航空应用的系统中，MIL-PRF-19500标准树立了对分立器件的性能、质量和可靠性要求的准绳。

今天推出的器件适用于TTL/CMOS直接逻辑电平接口，继电器、螺线管、灯、电锤、显示器、存储器和晶体管的驱动，以及电池供电系统和以及固态继电器。MOSFET的密封TO-205AD封装可承受军工和航天应用中更高的温度。

60V 2N6660JANTX/JANTXV在10V下的典型导通电阻低至1. Ω，栅源阈值电压为1.7V，开关速度为8ns。90V 2N6661JANTX/JANTXV在10V下的典型导通电阻为 .6Ω，栅源阈值电压为1.6V，开关速度为6ns。两款器件均具有低输入和输出泄漏，以及低至 5pF的典型输入电容。

2N6660ANTXV和2N有时却又很小。6661ANTXV按照MIL-PRF-19500的各项标准进行了100%的内部视觉(在封盖前)检验。除减少2个步骤(MIL-STD-750标准的视觉检验和加工)以降低成本以外，Vishay还对这些产品进行了Group A、Group B、Group C和Group E检测，以进一步提高产品的可靠性。

通过JAN认证的MOSFET现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十六周。